ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究Preparation and Characteristics of ITO Transparent Conductive Thin Films
陶海华,姚宁,辛荣生,边超,张兵临
摘要(Abstract):
论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .
关键词(KeyWords): ITO薄膜;直流磁控反应溅射法;光电特性;透过率
基金项目(Foundation):
作者(Author): 陶海华,姚宁,辛荣生,边超,张兵临
参考文献(References):
- [1] 范志新ITO薄膜载流子浓度的理论上限现代显示,2000,3:18~21
- [2] 来冰,丁训民,袁泽亮同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究半导体学报,1999,20(7):543~547
- [3] 段学臣,杨向萍新材料ITO薄膜的应用和发展稀有金属与硬质合金,1999,9:58~60
- [4] 王建恩,王运涛,王军三氧化而铟基透明导电薄膜光、电特性的研究功能材料,1995,26(2):141~146
- [5] 范志新液晶器件工艺基础北京:北京邮电大学出版社,2000,173~179
- [6] 刘恩科,朱秉升,罗晋生半导体物理学北京:国防工业出版社,1994,84~86
- [7] HassG ,FrancombeH ,HoffmannW PhysicsofThinFilmsNewYork:AcademicPress,1977
- [8] RadhouaneBelHadj,TakayukiBan,YutakaOhyaElectronictransportintin_dopedindiumoxidethinfilmspreparedbysol_geltech niqueJournalofAppliedPhysics,1998,83(4):2139~2141
- [9] CarlK ,SchmittH ,FriedrichI OptimizationofsputteredITOfilmswithrespecttotheoxygenpartialpressureandsubstratetempera tureThinSolidFilms,1997,295:151~155
- [10]陈猛,白雪冬,黄荣芳In2O3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制半导体学报,2000,21(4):394~399
- [11]陈恪,邹清胜用幕墙玻璃镀膜生产大面积制备ITO膜真空与低温,1998,4(4):224~226
- [12]吴自勤,王兵薄膜生长北京:科学出版社,2001240~252