邢家省

• 1:郑州大学系统科学与数学系

摘要(Abstract)：

本文考虑一类半导体方程组的混合初边值问题，采用拟单调方法和逼近过程，并通过一系列先验估计，证明了该问题整体弱解的存在性

关键词(KeyWords)： 半导体方程组；混合边值问题；整体弱解

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 邢家省

参考文献(References)：

• 1BusenbergS，FangW，ItoK．ModelingandAnalysisofLaser－beam－inducedCurrentImagesinSemi－conductors．SIAMJApplMath，1993，53（1）：187～2042FangW，ItoK．OntheTime－dependentDrift－difusionModelforSemiconductors．JDiferentialEqua－tions，1995，117（2）：245～2803FangW，ItoK．GlobalSolutionsoftheTime－dependentDrift－difusionSemiconductorEquations．JDiferentialEquations，1995，123（2）：523～5664GajewskiH，GrogerK．OntheBasicEquationsforCarrierTransportinSemiconductors．JMathAnalAppl，1986，113（1）：12～355邢家省．考虑磁场影响时半导体方程的混合初边值问题．河南科学，1996，14（1）：17～256LionsJL著，郭柏灵，汪礼译．非线性边值问题的一些解法．广州：中山大学出版社，19927FangW，ItoK．AsymptoticBehaviorofDrift－difusionSemiconductorEquations．J．DiferentialEqua－tions，1995，123（2）：567～587